ÖZELLİKLER

• FET Türü: N-Channel
• Teknoloji: MOSFET (Metal Oksit)
• Dren Kaynağı Gerilimi (Vdss): 50 V
• Sürekli Dren Akımı (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
• Sürme Gerilimi (Max Rds On, Min Rds On): 2.75V, 5V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 5V
• Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
• Kapı Yükü (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
• Vgs (Max): ±20V
• Giriş Kapasitansı (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
• FET Özellikleri: -
• Güç Dağıtımı (Max): 350mW (Ta)
• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montaj Türü: Yüzey Montaj