Özellikler:

• FET Türü: P-Channel
• Teknoloji: MOSFET (Metal Oksit)
• Drenden Source'a Gerilim (Vdss): 50 V
• Akım - Sürekli Drenaj (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
• Sürme Gerilimi (Max Rds On, Min Rds On): 5V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
• Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
• Vgs (Max): ±20V
• Giriş Kapasitansı (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
• Güç Tüketimi (Max): 225mW (Ta)
• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montaj Tipi: Yüzey Montaj
• Tedarikçi Cihaz Paketi: SOT-23-3 (TO-236)