ÖZELLİKLER:

• FET Tipi: N-Kanal
• Teknoloji: MOSFET (Metal Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistör)
• Drenajdan Kaynağa Gerilim (Vdss): 60 V
• Sürekli Drenaj Akımı (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
• Sürüş Gerilimi (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
• Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Kapı Şarjı (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
• Vgs (Max): ±20V
• Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
• FET Özelliği: -
• Güç Dağılımı (Max): 700mW (Ta)
• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ 150°C (TJ)