FDB047N10

Açıklama: Bu ürün, 100 V drain-source geriliminde çalışan bir N-Channel MOSFET'tir.

Teknik Özellikler:

• Durum: Aktif
• FET Türü: N-Channel
• Teknoloji: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source Gerilimi (Vdss): 100 V
• Sürekli Drenaj Akımı (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
• Sürüş Gerilimi (Maks. Rds On, Min. Rds On): 10V
• Rds On (Maks) @ Id, Vgs: 4.7mΩ @ 75A, 10V
• Vgs(th) (Maks) @ Id: 4.5V @ 250µA
• Kapı Yükü (Qg) (Maks) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
• Vgs (Maks): ±20V
• Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds: 15,265 pF @ 25 V
• Güç Dağılımı (Maks): 375W (Tc)
• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ 175°C (TJ)