Özellikler:

• FET Türü: N-Channel
• Teknoloji: MOSFET (Metal Oxide)
• Dran-Kaynak Gerilimi (Vdss): 900 V
• Sürekli Dran Akımı (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
• Sürüş Gerilimi (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ω @ 5.5A, 10V
• Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
• Kapı Yükü (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
• Vgs (Max): ±30V
• Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
• FET Özelliği: -
• Güç Dağıtımı (Max): 300W (Tc)
• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montaj Türü: Through Hole