MJD122T4G

Özellikler:

• Transistör Tipi: NPN - Darlington
• Akım - Kollektör (Ic) (Maks): 8 A
• Gerilim - Kollektör Emitter Bozulma (Maks): 100 V
• Vce Doyma (Maks) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
• Akım - Kollektör Kesilme (Maks): 10µA
• DC Akım Kazancı (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
• Güç - Maks: 1.75 W
• Frekans - Geçiş: 4MHz
• Çalışma Sıcaklığı: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Montaj Türü: Yüzey Montaj
• Kılıf / Kasa: TO-252-3, DPAK (2 Uç + Tab), SC-63