Özellikler:

• Teknoloji: Si (Silisyum)
• Montaj Tipi: SMD/SMT
• Kılıf / Paket Türü: SOT-23-3
• Transistör Polaritesi: N-Kanal
• Kanal Sayısı: 1 Kanal
• Vds - Drenaj-Source Arıza Gerilmesi: 30 V
• Id - Sürekli Drenaj Akımı: 4.4 A
• Rds On - Drenaj-Source Direnci: 48 mOhm
• Vgs - Gate-Source Gerilmesi: -20 V, +20 V
• Vgs th - Gate-Source Eşik Gerilmesi: 2.1 V
• Qg - Gate Şarjı: 5.8 nC
• Minimum Çalışma Sıcaklığı: -55°C
• Maksimum Çalışma Sıcaklığı: +150°C
• Pd - Güç Dağılımı: 1.25 W
• Kanal Modu: Geliştirme (Enhancement)