BFR193WH6327

Teknik Özellikler:

• Transistör Tipi: Bipolar
• Teknoloji: Si (Silisyum)
• Transistör Polaritasi: NPN
• Çalışma Frekansı: 900 MHz
• DC Kolektör/Baz Kazancı (hFE Min): 70
• Kolektör-Emiter Gerilmesi (VCEO Max): 12 V
• Emiter-Baz Gerilmesi (VEBO): 2 V
• Sürekli Kolektör Akımı: 80 mA
• Montaj Tarzı: SMD/SMT
• Paket/Kasa: SOT-323
• Kalifikasyon: AEC-Q100
• Paketleme: Reel, Cut Tape, MouseReel
• Marka: Infineon Technologies
• Maksimum DC Kolektör Akımı: 80 mA
• Pd - Güç Dağılımı: 580 mW
• Ürün Tipi: RF Bipolar Transistör