Gösterilen görsel yalnızca temsilidir.
Özellikler:
- Teknoloji: Si
- Montaj Stili: SMD/SMT
- Kılıf/Kasa: SOT-23-3
- Transistör Polaritesi: P-Channel
- Kanal Sayısı: 1 Kanal
- Vds - Drain-Source Bozulma Gerilimi: 40 V
- Id - Sürekli Drain Akımı: 3.1 A
- Rds On - Drain-Source Direnci: 88 mOhm
- Vgs - Gate-Source Gerilimi: - 20 V, + 20 V
- Vgs th - Gate-Source Eşik Gerilimi: 2.5 V
- Qg - Gate Şarjı: 6 nC
- Minimum Çalışma Sıcaklığı: - 55 °C
- Maksimum Çalışma Sıcaklığı: + 150 °C
- Pd - Güç Dağılımı: 1.25 W
- Kanal Modu: Enhancement
0
-
6,46
TL
+
VAT
0,13
USD
+
VAT
