CSD88537NDT

Özellikler

• Teknoloji: MOSFET (Metal Oksit)
• Yapılandırma: 2 N-Kanal (Çift)
• Dran ile Kaynak Gerilimi (Vdss): 60V
• Akım - Sürekli Dran (Id) @ 25°C: 15A
• Rds On (Maks) @ Id, Vgs: 15mΩ @ 8A, 10V
• Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.6V @ 250µA
• Kapı Şarjı (Qg) (Maks) @ Vgs: 18nC @ 10V
• Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds: 1400pF @ 30V
• Güç - Maks: 2.1W
• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montaj Türü: Yüzey Montaj
• Kılıf / Kasa: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Genişlik)