SI3585CDV-T1-GE3CT-ND

Özellikler:

• Teknoloji: MOSFET (Metal Oksit)
• Konfigürasyon: N ve P-Kanal
• FET Özelliği: Mantık Seviyesi Kapısı
• Dran-Source Voltajı (Vdss): 20 V
• Sürekli Dran Akımı (Id) @ 25°C: 3.9 A, 2.1 A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mΩ @ 2.5 A, 4.5 V
• Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5 V @ 250 µA
• Kapı Yükü (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
• Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
• Maksimum Güç: 1.4 W, 1.3 W
• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montaj Tipi: Yüzey Montaj
• Paket / Kılıf: SOT-23-6 İnce, TSOT-23-6