ÖZELLİKLER

• Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
• Teknoloji: Si (Silisyum)
• Montaj Stili: Through Hole
• Paket/Kasa: TO-220-3
• Transistör Polaritesi: P-Channel
• Kanal Sayısı: 1 Kanal
• Vds - Drain-Source Breakdown Gerilimi: 55 V
• Id - Sürekli Drain Akımı: 74 A
• Rds On - Drain-Source Direnci: 20 mOhm
• Vgs - Gate-Source Gerilimi: - 20 V, + 20 V
• Qg - Gate Şarjı: 120 nC
• Minimum Çalışma Sıcaklığı: -55 °C
• Maksimum Çalışma Sıcaklığı: +175 °C
• Pd - Güç Dağılımı: 200 W
• Kanal Modu: Enhancement
• Marka: Infineon / IR
• Konfigürasyon: Tek
• Düşüş Süresi: 96 ns
• Yükseklik: 15.65 mm
• Uzunluk: 10 mm
• Ürün Tipi: MOSFET'ler
• Yükseliş Süresi: 99 ns
• Alt Kategori: Transistörler
• Transistör Tipi: 1 P-Channel