Özellikler:

• FET Tipi: N-Channel
• Teknoloji: MOSFET (Metal Oxide)
• Drenajdan Kaynağa Gerilim (Vdss): 20 V
• Sürekli Drenaj Akımı (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
• Sürücü Gerilimi (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mΩ @ 4.2A, 4.5V
• Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
• Vgs (Max): ±12V
• Giriş Kapasitansı (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
• Güç Dağılımı (Max): 1.25W (Ta)
• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montaj Tipi: Yüzey Montaj