Infineon Technologies IRF640NSTRLPBF
ÖZELLİKLER
- FET Tipi: N-Channel
- Teknoloji: MOSFET (Metal Oxide)
- Drenajdan Kaynağa Gerilim (Vdss): 200 V
- Sürekli Drenaj Akımı (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
- Sürüş Gerilimi (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mΩ @ 11A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Kapı Şarjı (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
- Vgs (Max): ±20V
- Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
- Güç Dağıtımı (Max): 150W (Tc)
- Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Montaj Tipi: Yüzey Montaj (Surface Mount)