Özellikler:

• FET Tipi: N-Kanal
• Teknoloji: MOSFET (Metal Oksit)
• Dran-Source Voltajı (Vdss): 30 V
• Sürekli Dran Akımı (Id) @ 25°C: 3.5 A (Ta)
• Sürüş Voltajı (Max Rds On, Min Rds On): 4.5 V, 10 V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mΩ @ 3.5 A, 10 V
• Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5 V @ 1 mA
• Kapı Yükü (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
• Vgs (Max): ±20 V
• Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
• Güç Dağılımı (Max): 1 W (Ta)
• Çalışma Sıcaklığı: 150°C (TJ)
• Montaj Tipi: Yüzey Montaj