Teknik Özellikler

• Seri: HEXFET®
• Ambalaj: Tube
• Parça Durumu: Obsolete
• FET Tipi: P-Channel
• Teknoloji: MOSFET (Metal Oxide)
• Drenajdan Kaynağa Voltaj (Vdss): 55 V
• Sürekli Drenaj Akımı (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
• Sürüş Voltajı (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mΩ @ 9.6A, 10V
• Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Kapı Şarjı (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
• Vgs (Max): ±20V
• Giriş Kapasitansı (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
• FET Özelliği: -
• Güç Dağılımı (Max): 57W (Tc)
• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montaj Tipi: Surface Mount
• Tedarikçi Cihaz Paketi: TO-252AA (DPAK)