Özellikler:

• Teknoloji: Si
• Montaj Stili: SMD/SMT
• Kılıf / Boyut: DPAK-3 (TO-252-3)
• Transistör Polaritesi: N-Kanal
• Kanal Sayısı: 1 Kanal
• Vds - Drenaj-Source Arıza Voltajı: 100 V
• Id - Sürekli Drenaj Akımı: 31 A
• Rds On - Drenaj-Source Direnci: 39 mOhm
• Vgs - Gate-Source Voltajı: -20 V, +20 V
• Vgs th - Gate-Source Eşik Voltajı: 4 V
• Qg - Gate Yükü: 37 nC
• Minimum Çalışma Sıcaklığı: -55°C
• Maksimum Çalışma Sıcaklığı: +175°C
• Pd - Güç Dağılımı: 110 W
• Kanal Modu: Enhancement