Özellikler:

• FET Tipi: N-Channel
• Teknoloji: MOSFET (Metal Oksit)
• Drenajdan Kaynağa Gerilim (Vdss): 55 V
• Sürekli Drenaj Akımı (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
• Sürme Gerilimi (Maksimum Rds On, Minimum Rds On): 4V, 10V
• Rds On (Maksimum) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
• Vgs(th) (Maksimum) @ Id: 2V @ 250µA
• Kapı Şarjı (Qg) (Maksimum) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
• Vgs (Maksimum): ±16V
• Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maksimum) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
• Güç Dağılımı (Maksimum): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ 175°C (TJ)