IXTA26P20P

Açıklama:
Bu P-Channel MOSFET, -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 200 V'a kadar dren ile kaynak voltajını destekleyen bir yarı iletken bileşendir. 26 A sürekli akım kapasitesi ve 300 W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile yüksek performans sunar. Düşük Rds On değeri sayesinde enerji kayıplarını azaltırken, geniş giriş kapasitansı ile esneklik sağlar.

Teknik Özellikler:

• FET Tipi: P-Channel
• Teknoloji: MOSFET (Metal Oksit)
• Dren ile Kaynak Voltajı (Vdss): 200 V
• Akım - Sürekli Dren (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
• Sürüş Voltajı (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mΩ @ 13A, 10V
• Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Kapı Şarjı (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
• Vgs (Max): ±20V
• Giriş Kapasitansı (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
• FET Özelliği: -
• Güç Dağıtımı (Max): 300W (Tc)
• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ 175°C (TJ)