Özellikler:

• FET Türü: P-Channel
• Teknoloji: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Gerilmesi (Vdss): 60 V
• Sürekli Akım (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
• Sürücü Gerilmesi (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
• Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
• Vgs (Max): ±20V
• Input Kapasitansı (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
• Güç Dağılımı (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montaj Tipi: Yüzeye Montaj (Surface Mount)
• Tedarikçi Cihaz Paketi: TO-252AA