Açıklama:
Bu ürün, P-Channel yapıdaki bir MOSFET'tir ve metal oksit teknolojisi kullanılarak üretilmiştir. 20V'ye kadar çalışma gerilimine sahip olup, -55°C ile 150°C arasında güvenle çalışabilir. Düşük direnç ve yüksek akım taşıma kapasitesi sayesinde çeşitli uygulamalarda etkili bir performans sunar.

Özellikler:

• Part Durumu: Aktif
• FET Türü: P-Channel
• Teknoloji: MOSFET (Metal Oksit)
• Drain to Source Gerilimi (Vdss): 20 V
• Sürekli Akım (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
• Sürücü Gerilimi (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (Maks) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
• Vgs(th) (Maks) @ Id: 900mV @ 250µA
• Kapı Yükü (Qg) (Maks) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
• Vgs (Maks): ±8V
• Giriş Kapasitesi (Ciss) (Maks) @ Vds: 808 pF @ 15 V
• FET Özelliği: -
• Güç Dağılımı (Maks): 1.4W (Ta)
• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montaj Türü: Yüzeye Montaj
• Tedarikçi Cihaz Paketi: SOT-23-3