18N10

Ürün Özellikleri:

• Üretici (Mfr): Goford Semiconductor

• Seri: TrenchFET®

• Ambalaj:

  • Şerit ve Makarada (Tape & Reel - TR)

• Parça Durumu: Aktif

• FET Türü: N-Kanal (N-Channel)

• Teknoloji: MOSFET (Metal Oksit)

• Sürekli Drenaj Akımı (Id) @ 25°C: 25A (Tc)

• Sürüş Gerilimi (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

• Rds On (Maks) @ Id, Vgs: 53mΩ @ 10A, 10V

• Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA

• Vgs (Maks): ±20V

• FET Özelliği: Yok

• Güç Dağılımı (Maks): 62.5W (Tc)

• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ 150°C (Bağlantı Sıcaklığı - TJ)

• Montaj Türü: Yüzeye Monte (Surface Mount)

• Tedarikçi Cihaz Paketi: TO-252