Goford Semiconductor 20N06
Ürün Özellikleri:
Parça Durumu: Aktif
FET Türü: N-Kanal (N-Channel)
Teknoloji: MOSFET (Metal Oksit)
Drenaj-Kaynak Voltajı (Vdss): 60V
Sürekli Drenaj Akımı (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Sürüş Gerilimi (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs: 24mΩ @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA
Kapı Şarjı (Qg) (Maks) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (Maks): ±20V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds: 1609pF @ 30V
FET Özelliği: Yok
Güç Dağılımı (Maks): 41W (Tc)
Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ 150°C (Bağlantı Sıcaklığı - TJ)
Montaj Türü: Yüzeye Monte (Surface Mount)
Tedarikçi Cihaz Paketi: TO-252