Goford Semiconductor G2K3N10H
Ürün Özellikleri:
Ambalaj:
- Şerit ve Makarada (Tape & Reel - TR)
- Kesilmiş Şerit (Cut Tape - CT)
- Digi-Reel®
Parça Durumu: Aktif
FET Türü: N-Kanal (N-Channel)
Teknoloji: MOSFET (Metal Oksit)
Drenaj-Kaynak Voltajı (Vdss): 100 V
Sürekli Drenaj Akımı (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Sürüş Gerilimi (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs: 220mΩ @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 250µA
Kapı Şarjı (Qg) (Maks) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (Maks): ±20V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds: 434pF @ 50V
FET Özelliği: Yok
Güç Dağılımı (Maks): 2.4W (Tc)
Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ 150°C (Bağlantı Sıcaklığı - TJ)
Montaj Türü: Yüzeye Monte (Surface Mount)
Tedarikçi Cihaz Paketi: SOT-223