IRF5210SPBF

Teknik Özellikler

• Seri: HEXFET®
• Paketleme: Tube
• Parça Durumu: Digi-Key'de Üretim Durdurulmuş
• FET Tipi: P-Kanal
• Teknoloji: MOSFET (Metal Oksit)
• Dren ile Kaynak Gerilimi (Vdss): 100 V
• Sürekli Dren Akımı (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
• Sürücü Gerilimi (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mΩ @ 38A, 10V
• Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
• Vgs (Max): ±20V
• Giriş Kapasitansı (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
• FET Özelliği: -
• Güç Dağılımı (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montaj Tipi: Yüzeye Montaj
• Tedarikçi Cihaz Paketi: D2PAK