SIZ710DT-T1-GE3

Açıklama:
Bu ürün, MOSFET teknolojisi kullanarak tasarlanmış bir yarı iletken bileşendir. İki adet N-Kanal yapısıyla yarım köprü konfigürasyonunda çalışır. Düşük sürücü voltajı gereksinimi ile enerji verimliliği sağlar ve geniş bir sıcaklık aralığında güvenilir bir performans sunar. Yüzeye montaj yapılabilir ve çeşitli elektronik devrelerde kullanıma uygundur. Ancak bu ürün son alım tarihi itibarıyla artık temin edilememektedir.

Özellikler:

• Part Status: Son Alım
• Teknoloji: MOSFET (Metal Oksit)
• Konfigürasyon: 2 N-Kanal (Yarım Köprü)
• FET Özelliği: Mantık Seviyesi Kapısı
• Drenajdan Kaynağa Voltaj (Vdss): 20V
• Sürekli Drenaj Akımı (Id) @ 25°C: 16A, 35A
• Rds On (Maks) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
• Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA
• Kapı Şarjı (Qg) (Maks) @ Vgs: 18nC @ 10V
• Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds: 820pF @ 10V
• Güç - Maks: 27W, 48W
• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montaj Türü: Yüzeye Montaj