Özellikler:

• Teknoloji: Si
• Montaj Tipi: SMD/SMT
• Kılıf / Paket Türü: SOT-23-3
• Transistör Polarlığı: N-Channel
• Kanal Sayısı: 1 Kanal
• Vds - Drenaj-Source Yıkılma Gerilimi (Breakdown Voltage): 60 V
• Id - Sürekli Drenaj Akımı (Continuous Drain Current): 115 mA
• Rds On - Drenaj-Source Direnci: 7.5 Ohm
• Vgs - Gate-Source Gerilimi: -20 V, +20 V
• Vgs th - Gate-Source Eşik Gerilimi (Threshold Voltage): 1 V
• Minimum Çalışma Sıcaklığı: -55°C
• Maksimum Çalışma Sıcaklığı: +150°C
• Pd - Güç Dağılımı (Power Dissipation): 300 mW
• Kanal Modu: Enhancement