Paketleme: Tube | Parça Durumu: Aktif | FET Tipi: P-Channel | Teknoloji: MOSFET (Metal Oxide) | Drenaj-Source Gerilimi (Vdss): 55 V | Sürekli Drenaj Akımı (Id) @ 25°C: 74A (Tc) | Sürüş Gerilimi (Max Rds On, Min Rds On): 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA | Gate Şarjı (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V | Vgs (Max): ±20V | Giriş Kapasitansı (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V | FET Özelliği: - | Güç Dağılımı (Max): 200W (Tc) | Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ 175°C (TJ)